Intel start dit jaar proefproductie van flash-opvolger

Intel fabriceert dit jaar nog zijn eerste proefexemplaren van zijn nieuwe phase-change geheugenchips PRAM. Die chips, waar ook IBM, Hitachi en Samsung aan werken, zijn de gedoodverfde opvolger van het huidige flash-geheugen dat data ook zonder stroom vasthoudt.

PRAM biedt zowel een hogere reactiesnelheid (lagere latency) als een langere gebruiksduur dan flash. Het nieuwe geheugen reageert zo'n 20 nanoseconden sneller dan huidige flash-chips, die een latency van 50 tot 90 ns hebben afhankelijk van de kwaliteit. Daarnaast kan PRAM zo'n tien keer langer meegaan, doordat het een hoger maximum heeft voor het aantal schrijf- en leeshandelingen.

Intel wil PRAM in eerste instantie uitbrengen als rechtstreekse, dus pin-compatibele, flash-vervanger. Huidige elektronica-ontwerpen hoeven dan niet te worden aangepast voor het nieuwe geheugentype. Op basis daarvan worden de PRAM-chips dan verbeterd om eventueel later andere elektronica-ontwerpen te vereisen voor bijvoorbeeld een hoger prestatieniveau.

Samsung en Intel onthulden ieder voor zich in september vorig jaar al prototypes. Laatstgenoemde chipproducent werkt voor dit nieuwe geheugentype samen met ST Microelectronics. Het doel is de grote en groeiende markt voor consumentenelektronica zoals mobiele telefoons, muziek- en videospelers, maar in theorie ook voor netwerkapparatuur, harde schijven en andere systemen met ingebed geheugen. De verwachting is dat flashgeheugen op een gegeven moment de vooruitgang van de andere, omringende elektronica, zoals processoren, niet meer kan bijbenen.

De andere chipfabrikanten die elk ook aan deze geheugentechnologie werken, doen dat overigens onder de naam PCM (phase-change memory). Hitachi heeft daarbij al een latency van 20 ns weten te bereiken dat duidelijk sneller is dan wat Intel nu in zijn laboratoria heeft bereikt. Ondertussen heeft regulier DDR2-geheugen een latency van zo'n 3 ns dus van algemene inzet voor PRAM als computergeheugen is voorlopig nog geen sprake.

IBM heeft in december nog een doorbraak geboekt met materialen om nieuwe, snellere geheugenchips te maken. De ontwikkelde combinatie van germanium en antimoon, GS geheten, maakt geheugenchips mogelijk die wel vijfhonderd keer sneller zijn dan huidige flash-chips. IBM heeft al laten weten zijn nieuwe GS-geheugenchips mogelijk te gebruiken als cache in harde schijven voor zijn Power-servers.