Intel heeft deze week een transistor onthuld op een maat van 30 nanometer. Het is een verbeterde uitvoering van de 60 nanometer tri-gate transistor die het in september onthulde. Dit meldde de chipproducent deze week op het Vlsi Symposium Vlsi (Very Large-Scale Integration) in Japan.
Op die technologieconferentie dienden diverse onderzoeksgroepen van Intel zes technische papers in waarin zij hun ontdekkingen en doorbraken uiteenzetten. De voornaamste hiervan is de verkleining van de tri-gate transistor, een microchipschakeling die is uitgerust met drie schakelpunten (gates), naar 30 nanometer. Intel produceert dit chipcomponent met zijn huidige lithografie-apparatuur. Die machines maken met een lichtgolflengte van 193 nanometer momenteel processoren die 90 nanometer transistorlijnen hebben.
De eigen ontwikkeling van de tri-gate transistor lijkt dan ook de voornaamste reden voor de chipfabrikant om de volgende generatie lithografie-apparatuur, met een lichtgolflengte van 157 nanometer, over te slaan. Intel liet dit vorige maand weten aan zijn toeleveranciers van chipproductie-apparatuur, waaronder het Veldhovense Asml. De aanschaf van kostbare litho-machines kan uitgesteld worden doordat Intels huidige apparatuur de kleinere transistorlijnen kan maken.
De tri-gate transistor wijkt af van reguliere transistoren doordat de gates zich niet op hetzelfde sillicium-vlak (non-planar) bevinden. "Het probleem waar de industrie nu tegenaan loopt, is het feit dat de onderliggende silliciumlaag eenderde van de gate-lengte moet zijn. Met de gates zitten we nu al op de kleinst mogelijke maat, dus de silliciumlaag moet kleiner zijn dan het kleinste wat we kunnen produceren", zegt co-directeur Ken David van Intels onderzoeksdivisie voor logische componenten.
Uitweg zoeken
De oplossing is gezocht in het koppelen van meerdere gates op een enkele transistor. Sommige bedrijven, waaronder Motorola en AMD, zoeken dit in een dubbele gate-constructie, Finfet genaamd. Intel gaat een stap verder en werkt aan zijn tri-gate transistor. David wil Finfet niet ronduit bestempelen als de verkeerde weg, maar zegt wel duidelijke voordelen te zien in Intels benadering. Inmiddels zijn er al wel papers verschenen van onderzoekers buiten Intel over tri-gate.
De verkleinde en verbeterde tri-gate gaat nu over naar de ontwikkelfase van het productieproces. "Al met al heeft het maar drieënhalf jaar geduurd om van het eerste aftastende onderzoek naar ontwikkeling te gaan", aldus David. Hij verwacht dat massaproductie van chips met tri-gate transistoren in 2007 begint.
Dit komt overeen met de plannen die Intel uiteenzette toen het aankondigde de volgende generatie lithografie-apparatuur over te slaan. Het concern zei tegen 2007 chips te fabriceren met 45 nanometer transistorlijnen.< BR>
