Mitsubishi Semiconductor ligt overhoop met Texas Instruments en Hitachi over de techniek die ze willen gebruiken om 1 gigabit dram geheugenchips te produceren. Begin jaren negentig besloot het drietal de ontwikkeling van deze chips samen aan te pakken vanwege de uit de hand lopende kosten.
Siemens, IBM en Toshiba vormden een soortgelijk consortium.
Mitsubishi wil van de traditionele optische lithografie afstappen en ‘harde’ röntgenstralen gaan gebruiken voor de productie van 1 Gbit drams, die rond 2001 start. Mitsubishi heeft daarvoor bij zijn Heavy Industry-divisie een ‘sychrotronbron’ laten maken die de benodigde parallelle röntgenstralen kan produceren.
TI en Hitachi denken dat dat teveel risico’s met zich meebrengt. Zij willen doorgaan met de oude vertrouwde optische manier om de details op chips af te beelden. Voor 1 Gbit drams is diep-ultraviolet licht nodig met een golflengte van 0,193 micrometer uit een argonfluoride-laser. Asml uit Veldhoven verwacht dat men hiermee zelfs nog 4 gigabit Drams (kleinste dimensies van 0,13 micron) kan maken. Ook deze technologie is nog niet marktrijp.
Hoewel IBM ook over een synchrotronbron beschikt, kiezen zijn onderzoekers voorlopig voor diep-UV. Binnen het consortium Siemens/Toshiba/IBM is echter ook wrijving ontstaan over de manier waarop de condensatoren moeten worden opgebouwd die de bits moeten ‘onthouden’.
De keuze tussen röntgenstralen en UV-licht maakt weinig uit voor de manier waarop chips worden opgebouwd. Toshiba moet voor zijn ‘gestapelde’ condensator echter nieuwe, beter isolerende materialen ontwikkelen. Als dit lukt, ligt Toshiba voor in de ontwikkeling van de technologie, want uiteindelijk zullen ook Siemens en IBM deze stap moeten zetten voor de ontwikkeling van toekomstige generaties drams.
