Toshiba en NEC claimen een nieuw type MRAM-chip (magnetoresistive random access memory) te hebben gemaakt met de hoogste dichtheid en daarmee de hoogste lees- en schrijfsnelheid van alle huidige MRAM-chips. Dit type geheugen behoudt net zoals flash zijn data ook zonder constante stroomtoevoer.
De chip heeft een dichtheid van 16 Megabit per module en haalt een lees- en schrijfsnelheid van 200 Megabyte per seconde. Deze snelheidsverhoging ten opzichte van reguliere MRAM-chips wordt gerealiseerd door de sterke verkleining van de weerstand waarmeee het geheugen wordt beschreven en uitgelezen. De onderzoekers hebben deze weerstand met 38 procent verkleind. Verder heeft de geheugenchip een laag stroomverbruik, van slechts 1,8 Volt, en is daarmee ideaal voor het gebruik in mobiele telefoons.
MRAM moet in de toekomst flash-geheugen vervangen als opslagmedium. De grootste voordelen ten opzichte van flash-geheugen zijn dat MRAM een langere levensduur heeft, vaker beschreven kan worden en minder stroomlekkage heeft.
