Magnetische geheugenchips (mram) verschijnen mogelijk in 2005 op de markt. Deze nieuwe uitvoering van een oud idee is sinds 2000 in ontwikkeling. Partners IBM en Infineon onthulden de vooruitgang die ze hebben geboekt.
De twee bedrijven hebben eenpaper over hun mram-werk onthuld op het Vlsi Symposium (Very Large Scale Integration), dat plaatsvond in Kyoto (Japan). Het document detailleert een magnetische geheugenchip met een capaciteit van 128 kilobit die is geproduceerd via een 180 nanometer-productieproces. Dit is de kleinste mram-maat tot op heden.
IBM heeft in 1998 al grovere mram-prototypes getoond. Volgens dit bedrijf bewijst de nu gepubliceerde informatie dat mram-chips geschikt zijn voor massaproductie. De productiemaat van180 nanometer is al sinds 1999 in gebruik door chipproducenten.
Daarnaast hebben de chipontwerpers de weerstand van magnetisch geheugen verhoogd. Een zwak punt van mram was tot op heden dat de staat van de individuele cellen te subtiel was; het verschil tussen 0 en 1 was minder duidelijk dan wenselijk. Vice-president Randy Isaac, verantwoordelijk voor allianties van IBM’s technologiegroep, zegt dat dit probleem nu is opgelost. "Er is nu een verschil van 30 tot 40 procent in de weerstand tussen de twee staten."
De verwachting is dat dit geheugentype het huidige flash-geheugen kan vervangen. Doelmarkt is dan ook consumentenelektronica en mogelijk ook telecom-apparatuur. Indien het prijsniveau laag genoeg komt te liggen, zijn er meer toepassingen aantrekkelijk. Flash-geheugen is relatief duur en daardoor nauwelijks algemeen in gebruik voor computers. Regulier geheugen, dat data alleen bewaart zolang er een elektrische lading is, geniet nog altijd de voorkeur.
Kijk voor een uitgebreid artikel in deComputable van 27 juni 2003.
