Het Japanse bedrijf Mitsubishi Semiconductor ligt overhoop met Texas Instruments en Hitachi over de techniek die ze willen gebruiken om 1 gigabit Dram geheugenchips te produceren.
Begin jaren negentig besloot het drietal de ontwikkeling van deze chips samen aan te pakken vanwege de uit de hand lopende kosten. Siemens, IBM en Toshiba vormden een soortgelijk consortium. Mitsubishi wil van de traditionele optische lithografie afstappen en ‘harde’ röntgenstralen gaan gebruiken voor de productie van 1 gigabit Drams, die rond 2001 van start zal gaan. Mitsubishi heeft daarvoor bij zijn ‘zware industrie’ divisie een zogenaamde ‘synchrotron-bron’ laten maken die de benodigde parallelle röntgenstralen kan produceren.
Risico
TI en Hitachi menen echter dat dat teveel risico’s met zich meebrengt. Zij willen doorgaan met de oude vertrouwde optische methode om de details op chips af te beelden. Voor 1 Gbit Drams is diep-ultraviolet licht nodig met een golflengte van 0,193 micrometer uit een argonfluoride-laser. Het bedrijf Asml uit Veldhoven verwacht dat men hiermee zelfs nog 4 gigabit Drams (kleinste dimensies van 0,13 micron) kan maken. Maar ook deze technologie is nog niet rijp voor de markt.
Hoewel IBM ook over een synchrotron-bron beschikt, kiezen onderzoekers van dit computerbedrijf voorlopig voor diep-UV. Binnen het consortium Siemens-Toshiba-IBM is echter ook wrijving ontstaan over de manier waarop de condensatoren die de bits moeten ‘onthouden’, opgebouwd dienen te worden. Hiervoor zal de keuze tussen röntgenstralen en UV-licht weinig uitmaken. Toshiba moet voor zijn ‘gestapelde’ condensator echter nieuwe beter- isolerende materialen ontwikkelen. Als dit lukt, ligt Toshiba voor in de ontwikkeling van de technologie, want uiteindelijk zullen ook Siemens en IBM deze stap moeten zetten voor de ontwikkeling van toekomstige generaties Drams.
