IBM onthulde vorige week een nieuw isolatieproces voor halfgeleiders. Dit levert processoren op met een hogere kloksnelheid of een aanmerkelijk lager stroomverbruik. Het nieuwe productieproces is gebaseerd op ‘silicon-on-insulator’-technologie (SOI) en geeft IBM volgens de eigen onderzoekers een voorsprong van één tot twee jaar.
Ingenieurs van de computerfirma plaatsen een ultradunne laag isolerend materiaal net onder het oppervlak van een siliciumwafel. Die isolatielaag vermindert de elektrische lading die transistoren moeten opslaan wanneer ze worden geactiveerd. Hierdoor kan IBM in de eerste helft van volgend jaar de snelheid van zijn processoren met 35 procent opvoeren. Het bedrijf schat dat dit de aanvankelijke kosten voor chipproductie met 10 procent verhoogt, maar dat deze stijging uiteindelijk gehalveerd kan worden.
Verschuiving
Deze ontdekking is IBM’s derde doorbraak in processorfabricage in de afgelopen twaalf maanden. De firma meldde in september vorig jaar dat het koper gaat gebruiken voor de transistorverbindingen op chips. In juni dit jaar onthulde het halfgeleiders van silicium-germanium te produceren voor draagbare elektronica. Deze snelle ontwikkelingen markeren een verschuiving in de introductie van nieuwe technologie. Tot voor kort werden nieuwe vindingen eerst gebruikt in geavanceerde overheidsprojecten om vervolgens langzaam naar de commerciële markt door te dringen. Tegenwoordig komen nieuwe technologieën in toenemende mate direct beschikbaar voor goedkope consumentenelektronica. JB
