De ontwikkeling van chips op basis van huidige technieken kan weer even vooruit. AMD en IBM hebben samen een methode verfijnd om silicium onder druk te zetten (strained silicon).
De twee chipproducenten schatten dat hun nieuwe techniek, dual stress liners, chips een snelheidswinst van 24 procent kan opleveren. Daarbij hebben die chips een energieverbruik dat gelijk is met dat van de voorgangers die zijn geproduceerd zónder het verbeterde strained silicon.
De nieuwe technologie is gebaseerd op silicium-op-isolatiemateriaal (silicon on insulator, soi), een chipproductie-technologie die IBM al eerder heeft toegepast. Dit hebben de twee partners vorige maand onthuld. Het gebruik van de verbeterde methode vermindert de complexiteit van chips met silicium-onder-druk en vergroot daarmee de geslaagde productie.
Eerste helft 2005
AMD gaat de nieuwe technologie geleidelijk invoeren voor zijn processoren die zijn geproduceerd op 90 nanometer. Dit omvat ook de aanstaande chips met dubbele verwerkingskern, die in de eerste helft van dit jaar op de markt moeten komen. IBM op zijn beurt verwerkt silicium-onder-druk in zijn Power-processoren. De eerste Power-chips met strained silicon komen in de eerste helft van het jaar uit.
De Power-chips doen onder meer dienst in IBM’s Unix- en AS/400-servers (pSeries en iSeries) alsook in Apple’s Macintosh-computers. Speculatie is dan ook opgelaaid dat dit een energiezuinige G5-processor voor Apple mogelijk maakt die daarmee zijn Powerbook-laptoplijn van de krachtige G5 zou kunnen voorzien.
Ook Cell?
AMD en IBM werken al sinds januari 2003 samen aan de ontwikkeling van chips en chipproductietechnieken. Die samenwerking was aanvankelijk voornamelijk gericht op de volgende verkleiningsstap voor halfgeleiderfabricage: van 90 naar 65 nanometer. De ontwikkeling van silicium-onder-druk is verricht met enige hulp van Sony en Toshiba, met wie IBM de geavanceerde Cell-processor heeft ontworpen. Die koppelbare multikern-chip maakt dit jaar zijn debuut in krachtige werkstations. Het is nog onbekend of Cell direct al strained silicon krijgt.< BR>
