Samsung Electronics claimt als eerste een werkende dram (geheugenchip) te hebben gemaakt met een opslagcapaciteit van 1 gigabit (1 miljard bits of 128 megabyte). Elk van de 1.073.741.824 geheugencellen heeft een grootte van 0,336 vierkante micron.
Het Koreaanse bedrijf gebruikte 0,18 micron-technologie voor de fabricage van de gigabit-geheugens. Momenteel staat de chipindustrie op het punt om over te stappen op 0,25 micron.
De chipindustrie zal naar verwachting pas in 2001 grootschalig overstappen op 0,18 micron fabricagetechnieken. Echt grote aantallen 1 gigabit drams zullen echter pas in 2004 van de band lopen (in 0,13 micron). Dan zal het pas echt goedkoop zijn om deze chips te fabriceren (enkele tientallen guldens). Samsung levert ongeveer 30 procent van alle geheugenchips. Intel investeert momenteel 20 procent in Samsungs nieuw geheugenchipfabriek van 1,3 miljard dollar in Austin, Texas. Dat garandeert Intel van een gestage stroom 64 Mbit en 256 Mbit drams.
