IBM onthult vanmiddag de perfectionering van een nieuw productieproces dat halfgeleiders fabriceert met een hogere kloksnelheid of een aanmerkelijk lager stroomverbruik. Dit proces is gebaseerd op silicon-on-insulator-technologie (SOI) en geeft IBM volgens de onderzoeksdirecteuren van het bedrijf een voorsprong van één tot twee jaar.
Ingenieurs van de computerfirma kunnen nu een ultradunne laag isolerend materiaal net onder het oppervlak plaatsen van een siliciumwafel. Die isolatielaag vermindert de elektrische lading die transistoren moeten opslaan wanneer ze worden geactiveerd. Hierdoor kan IBM in de eerste helft van volgend jaar de snelheid van zijn processoren met 35 procent opvoeren. Het bedrijf schat dat dit de aanvankelijke kosten voor chipproductie met 10 procent verhoogt, maar dat deze stijging uiteindelijk gehalveerd kan worden.
Dit nieuws is IBM’s derde doorbraak in processorfabricage in de afgelopen twaalf maanden. De firma meldde in september vorig jaar dat ze koper gaat gebruiken voor de transistorverbindingen op chips. In juni dit jaar kondigde IBM aan dat het halfgeleiders van silicium-germanium gaat produceren voor draagbare elektronica. Deze snelle vooruitgang markeert een verschuiving in de introductie van nieuwe technologie. Voorheen werden nieuwe vindingen eerst gebruikt in geavanceerde projecten van de overheid en het leger, om vervolgens langzaam naar de commerciële massamarkt door te dringen. Tegenwoordig komen nieuwe technologieën in toenemende mate direct beschikbaar voor goedkope consumentenelektronica.
