IBM-onderzoekers hebben met ‘phase change memory’ een mogelijke vervanger voor flash-geheugen ontwikkeld. Onderzoekers in het IBM lab in Zürich hebben technologieën ontwikkeld waardoor over ongeveer vijf een alternatief voor flash-geheugen op de markt kan komen. Tegenwoordig wordt flash-geheugen gebruikt in divesrse hardware, van mp3-spelers en smartphones tot solid state drives (ssd).
‘Phase change memory' (pcm) maakt gebruik van het verschil in elektrische weerstand van materialen die een faseverandering hebben ondergaan. Geschikte materialen kunnen zo'n faseverandering ondergaan door verhitting, bijvoorbeeld bestraling met een laser (zoals in beschrijfbare dvd's, met een verandering van de mate van weerspiegeling ) of door aangepaste stroomniveaus, zoals bij pcm. Door stroom met verschillende voltages of stroompulsen door phase change materiaal te sturen, kan de weerstand van dit materiaal worden aangepast.
De nieuwe pcm-geheugentechnologie biedt volgens IBM meer voordelen dan Flash, zoals een grote duurzaamheid en een beduidend groter aantal lees/schrijfsnelheden. Pcm biedt verder een ‘multi-level cell'-structuur waarmee meerdere bits binnen een cel kunnen worden opgeslagen. Daarnaast is er ook een accurater ‘iteratief' schrijfproces ontwikkeld evenals een encoderingsmethode om fouten door veranderingen in de weerstand (resistance drift) op te vangen. Dat laatste, in combinatie met bestaande foutcorrectie methoden, maakt pcm geschikt voor gebruik in geheugencomponenten, aldus IBM.
IBM stelt dat zelfs met de slechtst denkbare schrijfperformantie, pcm nog een honderdvoudige verbetering ten opzichte van de huidige flash-geheugentechnologie zal bieden. Een en ander werd al getest aan de hand van een eerste testchip in 90nm CMos technologie. De technologie zal nog verder worden ontwikkeld door IBM in samenwerking met de ETH Zürich.
In samenwerking met Datanews
