Grote dram-fabrikanten als Siemens, Fujitsu en NEC werken aan een snelle, niet-vluchtige technologie voor werkgeheugens. Dergelijke chips, die hun informatie ook kunnen bewaren als de stroom is afgesloten, komen na de eeuwwisseling binnen bereik van de computergebruiker.
De huidige PC zet bij het starten de besturingssoftware en toepassingen in het werkgeheugen. Gegevens ophalen uit het dram-werkgeheugen is ruim tienduizend keer rapper dan lezen op de harde schijf. Dram’s (dynamic random access memories) hebben één nadeel: ze zijn vluchtig. Zonder stroom verliezen ze hun informatie.Flashchips zijn een alternatief, maar deze zijn te traag en te duur voor toepassing als werkgeheugen. Bovendien gaan ze maar enkele honderdduizenden schrijf-cyclussen mee.
Siemens onderzoekt de toepassingsmogelijkheden van fram’s (ferro-elektrische ram) in 4 gigabit-geheugens. Die zijn naar verwachting in 2004 beschikbaar.
De nu meest verkochte dram’s 16 megabit. Veel fabrikanten schakelen over naar 64 Mbit dram’s. Ook 256 Mbit-chips zijn al verkrijgbaar. Ferro-elektrische geheugencellen worden,(net als flitsgeheugens, vooral toegepast op de systeemchips van chipkaarten. Fabrikanten kunnen echter nog niet miljoenen ferro-elektrische geheugencellen integreren.
Volgens ingewijden breken fram’s op den duur door. Recentelijk meldden Toshiba, NEC en Fujitsu dat ze fram-cellen kunnen maken die tussen de 56 en 63 procent van het oppervlak innemen van de huidige geheugencellen op dram-chips. Dram’s slaan hun lading op in de condensator. Deze onderdelen zijn vergelijkbaar met een lekkende emmer. De opgeslagen lading moet steeds worden ververst. Fram-cellen bestaan uit een stukje ferro-elektrisch materiaal waarin een bit in de vorm van een elektrisch veld is op te slaan. Er is dan slechts een stukje ferro-elektrisch materiaal nodig in plaats van een ingewikkelde condensatorstructuur.
