Samsung heeft de eerste DDR2-geheugenchip ontwikkeld op een schaal van 50 nanometer. De chip zal naar verwachting vanaf 2008 op massaschaal worden gefabriceerd.
De productie op een schaal van 50 nanometer werd mogelijk dankzij het gebruik van SEG-transistoren. SEG staat voor ‘selective epitaxial growth’. SEG-transistoren zijn sneller doordat het kanaaltje waar elektronen doorheen worden geleid breder is. Dat is belangrijk omdat door de verdere miniaturisering van chips het in bedwang houden van elektronen steeds lastiger wordt. De SEG-transistor bevat daarom bovendien een speciale laag die ‘tunneling’ van de elektronen moet voorkomen. Tunneling is een quantummechanisch effect, dat er in chips voor kan zorgen dat elektronen ontsnappen uit transistorkanaaltjes, waardoor stroom weglekt en bits verloren gaan.
Met ‘een schaal van 50 nanometer’ wordt de dikte van de transistorlijnen bedoeld. Dat zijn de verbindingslijnen tussen transistoren. Een transistor is een halfgeleider, die in chips als schakeling wordt gebruikt om de stroom aan of uit te schakelen en zo een nul of een één te representeren. Vijftig nanometer is behoorlijk klein, als je bedenkt dat in één nanometer zo’n vijf atomen passen. Eén nanometer is gelijk aan 0,000000001 meter.
