Op de gereputeerde ‘International Solid State Circuits Conference’ in San Francisco berichtte Intel over een doorbraak die ‘single phase-change’ geheugen als vervanger van flash-geheugen dichterbij brengt.
Flash-geheugen – geheugenchips die hun informatie behouden ook als de stroom is uitgeschakeld – heeft in de voorbije jaren een bijzonder grote populariteit gekregen, met talloze toepassingen in mobiele telefoons, mp3-spelers, geheugensticks, zelfs complete ‘solid state’ harde schijven. Toch zijn de grenzen van deze technologie in zicht, onder meer inzake opslagcapaciteit en lees/schrijfsnelheid.
De ‘single phase-change’ technologie biedt al een hele poos goede kansen als een opvolger, waarbij een beroep wordt gedaan op een fysieke verandering (fasetransitie of -verandering) in een materiaal om data op te slaan.
Op de ISLC in San Francisco beschreef Intel hoe het bedrijf er in is geslaagd – in samenwerking met partner ST Microelectronics – om naast twee bekende fases (amorf en kristallijn, zonder structuur of met een uiterst duidelijke structuur) nog twee bijkomende fases in het gekozen materiaal (een glassoort, aangeduid als GST) te creëren. Hierdoor kan de opslagcapaciteit worden verdubbeld (vergelijkbaar met flash-technologie) en dat zonder fundamentele wijzigingen in het huidige productieproces.
Deze doorbraak, gekoppeld aan een hogere lees/schrijfsnelheid die vergelijkbaar is met dram en sram, maakt single phase change tot een zo goed als zekere vervanger van flash op termijn. Producenten van mobiele telefoons kunnen zo bijvoorbeeld de huidige combinatie van dram en flash vervangen door een enkele geheugenchip.
