AMD en IBM kondigen aan dat ze een nieuwe en unieke 'strained' silicium transistortechnologie hebben ontwikkeld, gericht op het verbeteren van processorprestaties en efficiëntie in stroomverbruik.
De doorbraak resulteert in 24% snellere transistors met hetzelfde stroomverbruik, vergeleken met transistors die zonder deze technologie zijn geproduceerd. Snellere en efficiëntere transistors zijn de basis voor beter presterende, lage voltage processoren. Wanneer transistors kleiner worden, werken ze sneller, maar bestaat het risico dat ze meer stroom verbruiken door elektrische lekkage of inefficiënte switching. Met de door AMD en IBM ontwikkelde ‘strained’ silicium worden deze uitdagingen overwonnen. Ook zijn AMD en IBM hiermee de eerste bedrijven die ‘strained’ silicium introduceren, een technologie die gebruikmaakt van silicon-on-insulator (SOI)-technologie, hetgeen resulteert in betere prestaties en minder stroomverbruik.
AMD is van plan de nieuwe ‘strained’ siliciumtechnologie langzaam te integreren in alle 90nm-platforms, waaronder de toekomstige multi-core AMD64-processoren. AMD verwacht de eerste 90nm AMD64-processoren die gebruikmaken van deze technologie, in de eerste helft van 2005 op de markt te brengen.
IBM wil de technologie introduceren op meerdere 90nm processorplatforms, waaronder zijn Power Architecture-gebaseerde chips en verwacht eveneens de eerste producten in de eerste helft van 2005 op de markt te brengen.
